Número de Producto del Fabricante:
TSM4N90CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM4N90CZ C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
958 Pcs Nuevos Originales En Stock
12898242
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ENVIAR
TSM4N90CZ C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
955 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TSM4N90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
1801-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZC0G-DG
-2068-TSM4N90CZC0GDKRINACTIVE
-2068-TSM4N90CZC0GDKR
-2068-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZ C0G-DG
TSM4N90CZC0G
-2068-TSM4N90CZC0GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP2N95K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1000
NÚMERO DE PIEZA
STP2N95K5-DG
PRECIO UNITARIO
0.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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